我们为全球各个行业提供AOS AOT418L_001现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOT418L_001是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其SDMOS系列。该器件采用TO-220封装，核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）以及低至10毫欧（@10V，20A）的导通电阻，旨在提供高效的功率开关解决方案。

其设计兼顾了高电流处理能力与快速开关性能。在管壳温度（Tc）25°C下，连续漏极电流可达105A，而最大栅极电荷（Qg）仅为83nC，这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在各种环境下的可靠性，适用于电源转换和电机驱动等对效率与鲁棒性有要求的应用。

• 制造商产品型号：AOT418L_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：83nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• AOT418L_001，AOS产品一站式供应商。