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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF2916L是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装，专为要求高效率与可靠性的功率开关应用而设计。其核心优势在于100V的漏源电压（Vdss）和极低的导通电阻，在10V Vgs、10A Id条件下最大Rds(on)仅为34毫欧，能显著降低导通损耗。
该器件具备17A（Tc）的高连续漏极电流处理能力，栅极电荷（Qg）最大值控制在20nC @ 10V，有利于实现快速开关并简化驱动设计。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为23.5W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定运行，适用于DC-DC转换、电机控制及各类电源管理系统。
基本参数：
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