AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4262E是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT技术制造，封装形式为8-SOIC。该器件核心优势在于其优异的导通与开关性能平衡，其漏源电压（VDSS）为60V，连续漏极电流（ID）高达16.5A，能够满足中等功率应用的需求。
其关键电气参数表现出色：在10V栅极驱动、16.5A电流条件下，导通电阻（RDS(on)）最大值仅为6.5毫欧，有效降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值25nC @4.5V）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率和开关频率。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等应用的理想选择。
基本参数：
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