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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOSP36326C是一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，额定值为30V漏源电压和12A连续漏极电流。其核心优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，在10V Vgs和12A Id条件下，最大Rds(On)仅为11毫欧，最大栅极电荷（Qg）为15nC，这共同确保了高效的电能转换与快速的开关性能。
该器件设计用于高频开关应用，其2.3V的最大栅极阈值电压和±20V的Vgs范围提供了稳健的驱动接口。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和2.5W的功率耗散能力，使其能够适应各种环境要求，是空间受限且追求高效率的电源管理和电机驱动解决方案的可靠选择。
基本参数：
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