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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOE6930是AOS推出的一款采用8-VDFN封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个性能参数非对称的N沟道MOSFET，其导通电阻（Rds(on)）分别低至4.3毫欧和0.83毫欧（@10V Vgs），具备优异的导电能力，能有效降低功率损耗。
器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流能力分别达到22A和85A（Tc），支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在高负载和恶劣环境下的稳定运行。其极低的栅极电荷和输入电容特性，使其特别适用于高频开关电源设计，如同步整流降压转换器和各类高密度POL模块，是实现高效率、高功率密度电源解决方案的关键元件。
基本参数：
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