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AOI4102是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss），以及在有效散热条件下高达19A的连续漏极电流处理能力，适用于中功率开关应用。

该器件的关键性能优势在于其低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为37.5毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（8nC）确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，有利于提升系统效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）也保证了其在各种环境下的可靠性。

• 型号:AOI4102
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8A/19A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta），19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:37.5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:432 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），21W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI4102，AOS产品一站式供应商。