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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7200_102是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（8毫欧 @ 10V，20A）与低栅极电荷（20nC @ 10V）的结合，这能显著降低开关和传导损耗，提升系统整体能效。
该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达40A的连续漏极电流，并具备宽泛的工作结温范围（-55°C至155°C）。其62W（Tc）的最大功率耗散能力，得益于带裸露焊盘的DFN封装所提供的优异散热性能，使其能够稳定处理高功率负载，适用于空间紧凑的先进电源设计方案。
基本参数：
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