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AON7200_102是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（8毫欧 @ 10V，20A）与低栅极电荷（20nC @ 10V）的结合，这能显著降低开关和传导损耗，提升系统整体能效。

该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达40A的连续漏极电流，并具备宽泛的工作结温范围（-55°C至155°C）。其62W（Tc）的最大功率耗散能力，得益于带裸露焊盘的DFN封装所提供的优异散热性能，使其能够稳定处理高功率负载，适用于空间紧凑的先进电源设计方案。

• 制造商产品型号：AON7200_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15.8A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15.8A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），62W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• AON7200_102，AOS产品一站式供应商。