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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6701是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TSOP封装，集成了隔离肖特基二极管。其核心电气参数针对高效、紧凑的功率开关应用进行了优化。
该器件额定值为30V漏源电压与2.3A连续漏极电流，关键优势在于其低导通电阻（典型135mΩ @ 10V Vgs）与低栅极电荷（最大4.9nC），这共同确保了较低的传导损耗与开关损耗，提升系统整体效率。其1.4V的最大栅极阈值电压使其易于被低压逻辑电路直接驱动。
AO6701适用于空间受限的DC-DC转换、负载开关、电池保护及便携设备中的功率管理电路，其宽工作温度范围（-55°C至150°C结温）保障了环境适应性。
基本参数：
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