我们为全球各个行业提供AOS AOB14N50现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOB14N50是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装，专为高效、高可靠性的高压功率开关应用而设计。

其核心电气参数定义了卓越的性能：500V的漏源电压（Vdss）提供了高压工作所需的坚固屏障，而14A的连续漏极电流（Id）与低至380mΩ的导通电阻（Rds(on)）相结合，确保了在承载大电流时仍能保持较低的导通损耗。此外，51nC的低栅极电荷（Qg）有利于实现快速开关，减少开关损耗，提升系统频率与效率。

这些特性使其成为开关电源、电机驱动等应用中功率开关的理想选择，在提升能效和功率密度的同时保障了系统的长期稳定运行。

• 型号:AOB14N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2297 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB14N50，AOS产品一站式供应商。