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AOB416是AOS公司SDMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装。该器件设计用于高效功率开关，其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss），以及在10V Vgs下低至36毫欧的导通电阻（Rds(on)），这有助于显著降低传导损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为24nC，支持快速的开关切换，有利于提升开关电源的工作频率和效率。器件在壳温条件下的连续漏极电流处理能力可达45A，最大功率耗散为150W，并支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:AOB416
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 6.2A/45A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB416，AOS产品一站式供应商。