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AO6704是一款采用6-TSOP封装的N沟道功率MOSFET，其核心设计聚焦于在紧凑空间内实现高效的功率处理与开关控制。该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流达3.6A，其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下最大值仅为65毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。

器件具备优异的动态性能，最大栅极电荷低至3.6nC，配合270pF的输入电容，确保了快速开关响应，非常适合用于高频开关电源电路。其1.8V的最大栅极阈值电压确保了与标准逻辑电平的兼容性，便于直接由微控制器驱动。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和内部集成的肖特基二极管，进一步增强了其在各种严苛或特定拓扑应用中的适用性与可靠性。

• 型号:AO6704
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-TSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A 6TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:1.39W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-TSOP
• 封装/外壳:SC-74，SOT-457
• AO6704，AOS产品一站式供应商。