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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOK9N90是一款N沟道功率MOSFET，由AOS制造，采用TO-247通孔封装。其核心卖点在于高达900V的漏源电压（Vdss）额定值，结合在10V Vgs下仅1.3欧姆的最大导通电阻（Rds(on) @ 4.5A），为高压应用提供了优异的耐压能力和较低的导通损耗。
该器件在壳温条件下支持9A的连续漏极电流，最大功率耗散为368W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在高功率密度和恶劣温度环境下的稳定运行。较低的栅极电荷（58nC @ 10V）有利于实现快速开关，提升系统频率和效率。这些参数使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中高压开关电路的理想选择。
基本参数：
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