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AO8810是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET，采用8-TSSOP表面贴装封装。该器件集成了两个共漏极配置的MOSFET，专为高密度、高效率的电源管理应用而设计。

其关键电气参数表现出色：20V的漏源电压和7A的连续漏极电流提供了可靠的功率处理能力；而低至20毫欧（@4.5V，7A）的导通电阻与仅1.1V的最大栅极阈值电压，确保了极低的导通损耗和与低压控制器的无缝直接驱动。此外，14nC的栅极电荷和高达150°C的工作结温，进一步保障了其在高速开关应用中的性能与热可靠性。

• 型号:AO8810
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1295pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• AO8810，AOS产品一站式供应商。