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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO8810是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET，采用8-TSSOP表面贴装封装。该器件集成了两个共漏极配置的MOSFET，专为高密度、高效率的电源管理应用而设计。
其关键电气参数表现出色：20V的漏源电压和7A的连续漏极电流提供了可靠的功率处理能力；而低至20毫欧（@4.5V，7A）的导通电阻与仅1.1V的最大栅极阈值电压，确保了极低的导通损耗和与低压控制器的无缝直接驱动。此外，14nC的栅极电荷和高达150°C的工作结温，进一步保障了其在高速开关应用中的性能与热可靠性。
基本参数：
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