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AOD403是一款30V耐压的P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（6毫欧 @ 20A, 20V）与高电流处理能力（连续漏极电流Tc条件下达70A），能显著降低功率传导损耗，提升系统整体效率。

该器件具备低栅极电荷（最大值120nC）特性，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，同时其阈值电压兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路设计。其宽结温工作范围（-55°C至175°C）与强大的功率耗散能力（Tc下90W）确保了在苛刻环境下的高可靠性，适用于DC-DC转换、电机控制、负载开关及电源管理等多种高密度、高效率的功率电子应用。

• 型号:AOD403
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD403，AOS产品一站式供应商。