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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD403是一款30V耐压的P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（6毫欧 @ 20A, 20V）与高电流处理能力（连续漏极电流Tc条件下达70A），能显著降低功率传导损耗，提升系统整体效率。
该器件具备低栅极电荷（最大值120nC）特性，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，同时其阈值电压兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路设计。其宽结温工作范围（-55°C至175°C）与强大的功率耗散能力（Tc下90W）确保了在苛刻环境下的高可靠性，适用于DC-DC转换、电机控制、负载开关及电源管理等多种高密度、高效率的功率电子应用。
制造商产品型号：AOD403制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：不用於新FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，20V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 20A，20V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：120nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5300pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），90W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD403，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD403
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD403的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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