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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTL66912是一款采用TOLLA封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的AlphaSGT产品系列。该器件设计用于处理高达100V的漏源电压，并在10V栅极驱动下提供极低的1.7毫欧典型导通电阻，显著优化了导通损耗。
其动态特性同样出色，总栅极电荷仅为220nC，有助于实现高效率的快速开关操作。该MOSFET具备强大的电流处理能力，在管壳温度条件下连续漏极电流可达380A，并支持高达175°C的结温工作范围，结合其500W（Tc）的功率耗散能力，确保了在高功率应用中的可靠性与鲁棒性。
基本参数：
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