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零件图片（仅供参考）
AOD425_001
规格参数

AOD425_001是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件设计用于30V电压系统，具备卓越的电流承载能力，在25°C外壳温度下连续漏极电流高达50A，而其低至17毫欧（@10V，20A）的导通电阻确保了极低的导通损耗，有助于提升能效。

其开关特性经过优化，最大栅极电荷仅为38nC，有利于实现高频、高效的开关操作，并降低驱动需求。器件支持宽范围工作结温（-55°C ~ 175°C），提供可靠的性能。这些特性使其非常适合用于DC-DC转换、电机控制、负载开关及电池管理等需要高效功率切换的场合。

  • 制造商产品型号：AOD425_001
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 9A/50A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），50A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），71W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD425_001
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 9A/50A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD425_001的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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