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AON7934_101是AOS推出的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-WDFN表面贴装封装。该器件集成了两个独立的功率开关，旨在为空间受限的高效率应用提供紧凑的解决方案。

其核心电气性能包括30V的漏源电压（Vdss）以及极低的导通电阻，在10V Vgs、15A条件下典型值仅为7.7毫欧，能显著降低传导损耗。优化的栅极电荷（最大17.5nC @10V）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的热性能与可靠性。

这些特性使其成为同步整流、电机驱动、电池管理和多路电源开关等应用的理想选择，尤其适用于需要高功率密度和高效能的中低压功率转换系统。

• 型号:AON7934_101
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），16A（Tc），15A（Ta），18A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.2 毫欧 @ 13A，10V，7.7 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11nC @ 10V，17.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485pF @ 15V，807pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.5W（Ta），23W（Tc），2.5W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-WDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• AON7934_101，AOS产品一站式供应商。