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零件图片(仅供参考)
AONY36352
规格参数

AONY36352是AOS公司推出的一款表面贴装型双N沟道MOSFET阵列。该器件采用8-PowerSMD封装,集成了两个非对称的N沟道MOSFET,漏源电压(Vdss)为30V,适用于高密度电路板设计。

其核心优势在于优异的导通与开关性能。两个通道的导通电阻(Rds(on))分别低至2毫欧和5.3毫欧(@20A, 10V),能显著降低功率损耗。同时,其具备高电流处理能力(连续漏极电流最高达85A @Tc)和优化的栅极电荷,确保了高效率的电源转换与快速开关。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C TJ)进一步保障了其在各种环境下的可靠性。

  • 制造商产品型号:AONY36352
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N 沟道(双)非对称型
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):18.5A(Ta),49A(Tc),30A(Ta),85A(Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.3 毫欧 @ 20A,10V,2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A,1.9V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):20nC @ 10V,52nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):820pF @ 15V,2555pF @ 15V
  • 功率-最大值:3.1W(Ta),21W(Tc),3.1W(Ta),45W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-PowerSMD,扁平引线
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AONY36352
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AONY36352的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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