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零件图片(仅供参考)

规格参数
AONY36352是AOS公司推出的一款表面贴装型双N沟道MOSFET阵列。该器件采用8-PowerSMD封装,集成了两个非对称的N沟道MOSFET,漏源电压(Vdss)为30V,适用于高密度电路板设计。
其核心优势在于优异的导通与开关性能。两个通道的导通电阻(Rds(on))分别低至2毫欧和5.3毫欧(@20A, 10V),能显著降低功率损耗。同时,其具备高电流处理能力(连续漏极电流最高达85A @Tc)和优化的栅极电荷,确保了高效率的电源转换与快速开关。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C TJ)进一步保障了其在各种环境下的可靠性。

基本参数:
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