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AOD526_DELTA是AOS公司AlphaMOS系列的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和高达50A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力。

该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、20A电流条件下最大值仅为5毫欧，这能有效降低导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至33nC，结合2.4V的栅极阈值电压，有助于实现高效、快速的开关操作，适用于高频开关电源应用。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。

• 制造商产品型号：AOD526_DELTA
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 50A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• AOD526_DELTA，AOS产品一站式供应商。