AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6504_002是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss），以及在25°C下高达51A（Ta）/85A（Tc）的连续漏极电流处理能力。
该器件的显著特点是其极低的导通损耗，在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为2.1毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有助于实现快速的开关切换，降低整体开关损耗。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高频DC-DC转换等应用的优选器件。
基本参数：
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