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AON6504_002是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss），以及在25°C下高达51A（Ta）/85A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

该器件的显著特点是其极低的导通损耗，在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为2.1毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有助于实现快速的开关切换，降低整体开关损耗。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高频DC-DC转换等应用的优选器件。

• 制造商产品型号：AON6504_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 51A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：51A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2719pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• AON6504_002，AOS产品一站式供应商。