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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB1608L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件设计用于中高功率应用，其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss），以及在管壳温度（Tc）下高达140A的连续漏极电流（Id）处理能力，展现出卓越的电流承载和热性能。
其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为7.3毫欧，能有效降低导通损耗。同时，84nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg）优化了开关动态性能，有助于提升系统效率与开关频率。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的可靠性，适用于高效率DC-DC转换、电机驱动及工业电源等场景。
基本参数：
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