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AOB1608L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件设计用于中高功率应用，其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss），以及在管壳温度（Tc）下高达140A的连续漏极电流（Id）处理能力，展现出卓越的电流承载和热性能。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为7.3毫欧，能有效降低导通损耗。同时，84nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg）优化了开关动态性能，有助于提升系统效率与开关频率。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的可靠性，适用于高效率DC-DC转换、电机驱动及工业电源等场景。

• 型号:AOB1608L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11A/140A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB1608L，AOS产品一站式供应商。