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零件图片(仅供参考)
AON7788
规格参数

AON7788是AOS公司SRFET系列中的一款N沟道MOSFET,采用8-DFN(3x3)表面贴装封装。该器件额定漏源电压为30V,在管壳温度条件下可支持高达40A的连续漏极电流,其关键优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和20A Id条件下最大值仅为4.5毫欧,能显著降低导通损耗。

此外,器件集成了体肖特基二极管,并具备29nC的低栅极电荷和快速的开关特性,有助于提升开关电源应用的效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,功率耗散能力强,适用于需要高功率密度和高可靠性的同步整流、电机控制及DC-DC转换器等场景。

  • 制造商产品型号:AON7788
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SRFET
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Ta),40A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):29nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4100pF @ 15V
  • FET功能:肖特基二极管(体)
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),36W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN(3x3)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON7788
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7788的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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