AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4619是AOS公司生产的一款采用8-SOIC封装的N沟道与P沟道MOSFET阵列。该器件集成了逻辑电平驱动的互补MOSFET对，漏源电压（Vdss）为30V，适用于低压功率管理场景。
其核心优势在于极低的导通电阻（典型24mΩ @ 10V）和兼容低压控制的栅极特性（Vgs(th) ≤ 2.6V），这确保了高效的功率传输并能直接由3.3V/5V逻辑电路驱动。此外，低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于实现快速开关，减少开关损耗。
这款器件的工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），采用表面贴装形式，为需要高密度布局和高效同步整流的应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路，提供了紧凑而可靠的解决方案。
基本参数：
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