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AOD442是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案，其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）以及高达37A（Tc）的连续漏极电流能力。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A条件下最大值仅为20毫欧，配合最大68nC（@10V）的栅极电荷，共同确保了较低的传导损耗与开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达60W（Tc）的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛应用环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:AOD442
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7A/37A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），37A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD442，AOS产品一站式供应商。