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AO6800L 零件图片(仅供参考)

AO6800L
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AO6800L 规格参数

AO6800L是AOS公司生产的一款采用SOT-457(SC-74)封装的表面贴装型双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的增强型MOSFET,每个通道具备30V的漏源电压(Vdss)和3.4A(Ta)的连续漏极电流处理能力。

其核心电气特性经过优化,在10V栅极驱动下,导通电阻(RDS(on))最大值仅为60毫欧,同时栅极电荷(Qg)最大值低至10nC,实现了低传导损耗与快速开关性能的良好结合。较低的栅极阈值电压(最大1.5V)使其兼容现代低压逻辑控制信号。这些参数共同指向其在空间紧凑、要求高效率的开关应用中的适用性,例如DC-DC转换、负载切换和电机驱动等场景。

  • 型号:AO6800L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:6-TSOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6TSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):235pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.15W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商器件封装:6-TSOP
  • AO6800L,AOS产品一站式供应商。
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AO6800L 基本参数:

  • 电子零件型号:AO6800L
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6TSOP
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 点击此处查询AO6800L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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