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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD518是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）封装，专为低压、高电流开关应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻，典型值低至8毫欧（@10V Vgs， 20A Id），这能显著降低传导损耗，提升系统效率。
该器件具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，在25°C环境温度下支持15A连续电流，在管壳温度条件下电流能力可达54A。其栅极驱动兼容低压逻辑，阈值电压最大为2.6V，标准驱动电压范围4.5V至10V，便于直接由微控制器驱动。较低的栅极电荷（最大值22.5nC）有助于实现快速开关，减少开关损耗。
制造商产品型号：AOD518制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 15A/54A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），54A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：951pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD518，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD518
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 15A/54A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD518的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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