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AOD518是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）封装，专为低压、高电流开关应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻，典型值低至8毫欧（@10V Vgs， 20A Id），这能显著降低传导损耗，提升系统效率。

该器件具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，在25°C环境温度下支持15A连续电流，在管壳温度条件下电流能力可达54A。其栅极驱动兼容低压逻辑，阈值电压最大为2.6V，标准驱动电压范围4.5V至10V，便于直接由微控制器驱动。较低的栅极电荷（最大值22.5nC）有助于实现快速开关，减少开关损耗。

• 型号:AOD518
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A/54A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:951 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD518，AOS产品一站式供应商。