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AOT416_002是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心规格为100V的漏源电压（Vdss）额定值，适用于中压范围的功率开关应用。

该器件设计注重可靠性，TO-220封装提供了良好的散热路径，便于通过外部散热器管理功率耗散，确保在连续工作条件下的热稳定性。其典型的应用定位在于需要平衡效率与成本的开关电源、电机控制及DC-DC转换电路。

作为一款分立式功率半导体元件，它为目标应用提供了基础的电压阻断和电流开关功能，工程师可根据具体的电路拓扑要求，结合其电压与封装特性进行系统设计。

• 制造商产品型号：AOT416_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• AOT416_002，AOS产品一站式供应商。