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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6808是AOS推出的一款双N沟道MOSFET阵列，采用SOT-457紧凑封装。该器件集成了两个共漏极连接的逻辑电平MOSFET，其最大导通电阻低至23毫欧（@4.5V，6A），能有效降低导通损耗，提升系统效率。
其栅极阈值电压最大为1V，可直接由3.3V或5V微控制器驱动，简化了电路设计。同时，21nC的低栅极电荷和780pF的输入电容确保了快速的开关性能，适用于高频开关应用。该器件额定漏源电压20V，连续漏极电流4.6A，工作温度范围宽达-55°C至150°C，为空间受限的便携式设备、DC-DC转换器和电机驱动应用提供了高可靠性的功率开关解决方案。
基本参数：
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