AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOTF266L及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF266L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心优势在于60V的漏源电压（Vdss）额定值与极低的导通电阻（典型值3.5mΩ @ 10V, 20A），这显著降低了功率损耗并提升了转换效率。
该器件具备出色的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达78A，并支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在高负载和恶劣环境下的可靠性。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容特性，有利于实现快速开关，适用于高频开关电源、电机驱动及各类DC-DC功率转换应用。
基本参数：
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询