AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOUS66923是AOS公司基于AlphaSGT技术推出的N沟道功率MOSFET，采用UltraSO-8封装。其核心优势在于优异的电气性能平衡：提供100V的漏源电压（Vdss）和高达58A（Tc）的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（11mΩ @10V, 20A）和栅极电荷（35nC @10V）。
这些参数共同确保了器件在导通和开关过程中损耗极低，特别适合高频、高效率的功率转换应用。其宽泛的驱动电压兼容性（4.5V-10V）和-55°C至150°C的宽工作结温范围，进一步增强了其在工业、通信及汽车电子等严苛环境下的设计适应性和可靠性。
基本参数：
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