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AOUS66923是AOS公司基于AlphaSGT技术推出的N沟道功率MOSFET，采用UltraSO-8封装。其核心优势在于优异的电气性能平衡：提供100V的漏源电压（Vdss）和高达58A（Tc）的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（11mΩ @10V, 20A）和栅极电荷（35nC @10V）。

这些参数共同确保了器件在导通和开关过程中损耗极低，特别适合高频、高效率的功率转换应用。其宽泛的驱动电压兼容性（4.5V-10V）和-55°C至150°C的宽工作结温范围，进一步增强了其在工业、通信及汽车电子等严苛环境下的设计适应性和可靠性。

• 型号:AOUS66923
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:UltraSO-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 16.5A ULTRASO-8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Ta），58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1725 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），73W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:UltraSO-8
• 封装/外壳:3-PowerSMD，引线
• AOUS66923，AOS产品一站式供应商。