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零件图片（仅供参考）
AOTF2N60
规格参数

AOTF2N60 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220-3F 通孔封装。其核心电气参数定位明确，600V 的漏源电压 (Vdss) 与 2A 的连续漏极电流 (Id) 使其适用于中高压、中小电流的功率开关场合。

该器件在 10V 栅极驱动下，导通电阻 (Rds(on)) 典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，其 栅极电荷 (Qg) 与输入电容 (Ciss) 参数经过优化，有利于实现快速的开关瞬态，降低开关损耗，从而提升系统整体效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了在多种环境条件下的可靠性。

  • 制造商产品型号：AOTF2N60
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.4 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11.4nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：325pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：31W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220-3F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF2N60
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF2N60的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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