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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT210L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心电气参数针对高效率功率开关应用进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在管壳温度下高达105A的连续漏极电流（Id）处理能力。
该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为2.9毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极驱动特性良好，标准驱动电压为4.5V至10V，最大栅极电荷（Qg）为58nC，便于与主流逻辑电路接口并实现快速开关。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和TO-220封装确保了其在各种环境下的应用可靠性。
基本参数：
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