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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW15S65是一款采用TO-262封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的aMOS产品系列。其核心优势在于650V的高漏源电压（Vdss）与低至290毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这确保了器件在高电压应用中既能承受严苛的电压应力，又能有效降低导通损耗，提升系统效率。
此外，该器件具备15A的连续漏极电流处理能力和208W的最大功耗，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于高功率密度和可靠性要求严格的设计。其优化的栅极电荷（17.2nC @10V）特性有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，使其成为开关电源、电机驱动等高效功率转换方案的理想选择。
基本参数：
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