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AOW15S65是一款采用TO-262封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的aMOS产品系列。其核心优势在于650V的高漏源电压（Vdss）与低至290毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这确保了器件在高电压应用中既能承受严苛的电压应力，又能有效降低导通损耗，提升系统效率。

此外，该器件具备15A的连续漏极电流处理能力和208W的最大功耗，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于高功率密度和可靠性要求严格的设计。其优化的栅极电荷（17.2nC @10V）特性有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，使其成为开关电源、电机驱动等高效功率转换方案的理想选择。

• 型号:AOW15S65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:841 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW15S65，AOS产品一站式供应商。