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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT1608L是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用标准的TO-220通孔封装。该器件设计用于中高功率场景，其核心优势在于60V的漏源电压（Vdss）和极低的导通电阻（典型值7.6mΩ @ 10V, 20A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。
该MOSFET具备出色的电流承载能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达140A，同时其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于实现高效的开关性能。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和高达333W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在 demanding 应用环境下的高可靠性。
基本参数：
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