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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4264E是一款采用AOS AlphaSGT技术的N沟道MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气规格包括60V的漏源电压（Vdss）和13.5A的连续漏极电流（Id）处理能力，为中等功率应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的开关性能与低导通损耗的平衡。其在10V Vgs下的导通电阻（Rds(on)）低至9.8毫欧，同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为13nC（@4.5V）。这种低Rds(on)与低Qg的特性组合，能有效降低功率转换系统中的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也确保了在各种环境条件下的可靠运行。
基本参数：
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