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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6428L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为高密度、高效率的功率管理应用而设计。其核心电气参数包括30V的漏源极耐压和11A（Ta）/43A（Tc）的连续漏极电流处理能力。
该器件的关键优势在于其极低的导通阻抗，在10V栅源电压下，导通电阻典型值仅为10毫欧，这能显著降低功率转换过程中的传导损耗。同时，其17.8nC的低栅极电荷和770pF的输入电容，共同确保了快速开关性能和低开关损耗，适用于高频开关电源和电机驱动等场景。
基本参数：
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