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AON6428L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为高密度、高效率的功率管理应用而设计。其核心电气参数包括30V的漏源极耐压和11A（Ta）/43A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

该器件的关键优势在于其极低的导通阻抗，在10V栅源电压下，导通电阻典型值仅为10毫欧，这能显著降低功率转换过程中的传导损耗。同时，其17.8nC的低栅极电荷和770pF的输入电容，共同确保了快速开关性能和低开关损耗，适用于高频开关电源和电机驱动等场景。

• 制造商产品型号: AON6428L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 11A 8DFN
• 系列: -
• FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 功能: 标准
• 漏源极电压（Vdss）: 30V
• 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11A（Ta），43A（Tc）
• 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 17.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 770pF @ 15V
• 功率 - 最大值: 2W
• 安装类型: 表面贴装
• 封装/外壳: 8-PowerSMD，扁平引线
• 供应商器件封装: 8-DFN（5x6）
• AON6428L，AOS产品一站式供应商。