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零件图片(仅供参考)
AOCA32112E
规格参数

AOCA32112E是AOS公司生产的一款有源、表面贴装型20V双N沟道共漏极MOSFET阵列。该器件在25°C环境温度下可支持4.5A的连续漏极电流,并在4.5V栅极驱动下实现仅48毫欧的低导通电阻,有效优化了功率转换效率。

其设计注重开关性能与驱动简便性的平衡,最大栅极阈值电压为1.3V,栅极电荷低至11.5nC,使其易于被低压逻辑电路驱动并实现快速开关。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C,结合1.1W的功耗能力,确保了在多样化的应用环境中具备高可靠性,是紧凑型高能效功率管理解决方案的理想选择。

  • 制造商产品型号:AOCA32112E
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:20V COMMON-DRAIN DUAL N-CHANNEL
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N 沟道(双)共漏
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):4.5A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):48 毫欧 @ 3A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):11.5nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:1.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:4-SMD,无引线
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOCA32112E
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:20V COMMON-DRAIN DUAL N-CHANNEL
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AOCA32112E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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