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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD242是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装TO-252封装。其核心电气特性包括40V的漏源电压（Vdss）以及优异的导通性能，在10V Vgs条件下，导通电阻（Rds(On)）低至5.8毫欧（@20A），能有效降低导通损耗，提升系统效率。
该器件具备良好的开关特性，其栅极电荷（Qg）最大值仅为28nC，配合较低的输入电容，确保了快速开关响应，适合高频开关电源应用。电流处理能力强劲，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达54A，最大功率耗散为53.5W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至175°C，保证了在苛刻环境下的稳定运行。
制造商产品型号：AOD242制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 40V 14.5A/54A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：14.5A（Ta），54A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.8 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 20VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），53.5W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD242，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD242
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 40V 14.5A/54A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD242的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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