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AOD242是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装TO-252封装。其核心电气特性包括40V的漏源电压（Vdss）以及优异的导通性能，在10V Vgs条件下，导通电阻（Rds(On)）低至5.8毫欧（@20A），能有效降低导通损耗，提升系统效率。

该器件具备良好的开关特性，其栅极电荷（Qg）最大值仅为28nC，配合较低的输入电容，确保了快速开关响应，适合高频开关电源应用。电流处理能力强劲，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达54A，最大功率耗散为53.5W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至175°C，保证了在苛刻环境下的稳定运行。

• 型号:AOD242
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 14.5A/54A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Ta），54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），53.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD242，AOS产品一站式供应商。