AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6808_101是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平MOSFET阵列，采用SOT-457（SC-74）表面贴装封装。该器件集成了两个共漏极连接的MOSFET，其最大漏源电压（Vdss）为20V，在25°C环境下的连续漏极电流（Id）额定值为4.6A。
其核心电气特性包括极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动电压下典型值仅为23毫欧（@6A），以及最大1V的低栅极阈值电压，确保其可直接由3.3V/5V微控制器驱动。优化的栅极电荷（最大21nC @10V）有助于实现快速开关，降低动态损耗。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高效率和可靠性的紧凑型功率管理电路。
基本参数：
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