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AO6808_101是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平MOSFET阵列，采用SOT-457（SC-74）表面贴装封装。该器件集成了两个共漏极连接的MOSFET，其最大漏源电压（Vdss）为20V，在25°C环境下的连续漏极电流（Id）额定值为4.6A。

其核心电气特性包括极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动电压下典型值仅为23毫欧（@6A），以及最大1V的低栅极阈值电压，确保其可直接由3.3V/5V微控制器驱动。优化的栅极电荷（最大21nC @10V）有助于实现快速开关，降低动态损耗。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高效率和可靠性的紧凑型功率管理电路。

• 制造商产品型号：AO6808_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N 沟道（双）共漏
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.6A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：780pF @ 10V
• 功率-最大值：800mW
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：SC-74，SOT-457
• AO6808_101，AOS产品一站式供应商。