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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF5N50是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心电气特性包括500V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于优异的开关性能与导通特性。其最大导通电阻（Rds(on)）低至1.5欧姆（@10V， 2.5A），配合最大值仅为19nC的低栅极电荷（Qg），有效降低了导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。
基本参数：
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