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AOTF5N50是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心电气特性包括500V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于优异的开关性能与导通特性。其最大导通电阻（Rds(on)）低至1.5欧姆（@10V， 2.5A），配合最大值仅为19nC的低栅极电荷（Qg），有效降低了导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。

• 型号:AOTF5N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF5N50，AOS产品一站式供应商。