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零件图片（仅供参考）
AOD9N40
规格参数

AOD9N40是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252表面贴装封装。其核心参数包括400V的漏源电压(Vdss)和8A的连续漏极电流(Id)，为离线式电源应用提供了高耐压与高电流处理能力。

该器件的关键优势在于其低导通特性，在10V Vgs下导通电阻(Rds(on))最大值仅为800毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)优化了开关性能，可实现高效率的功率转换。

综合其稳健的热性能（125W最大功耗）与宽工作温度范围，AOD9N40是开关电源、PFC及电机控制等应用中追求高可靠性与高效率的理想选择。

  • 制造商产品型号：AOD9N40
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N CH 400V 8A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：400V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：800 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：760pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
  • 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD9N40
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N CH 400V 8A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD9N40的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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