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AON7240_101是一款40V耐压的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率功率转换进行了优化，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至5.1毫欧（@20A），能够显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。

该器件在25°C环境温度下可连续承载19A电流，峰值电流能力更强，结合其高达36.7W（Tc）的功率耗散能力，确保了出色的热性能和可靠性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于工业级应用环境。这些特性使其成为同步整流、电机驱动、DC-DC转换及电池管理等应用中实现高功率密度和高效率的理想选择。

• 制造商产品型号：AON7240_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 19A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），36.7W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• AON7240_101，AOS产品一站式供应商。