AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF8N65是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值为1.15欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值28nC）和输入电容（Ciss，最大值1400pF）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率与工作频率。
结合其-55°C至150°C的宽工作结温范围和50W的功率耗散能力，AOTF8N65是一款适用于要求严苛的工业电源、电机控制及功率转换系统的可靠解决方案。
基本参数：
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