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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6458是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN表面贴装封装。其核心电气规格包括250V的漏源击穿电压（Vdss），以及在10V Vgs、10A Id条件下典型值为170毫欧的低导通电阻（Rds(On)），这有效降低了导通损耗。
该器件设计注重开关性能优化，最大栅极电荷（Qg）仅为27nC @ 10V，有助于实现快速的开关切换，提升系统效率。其电流处理能力在管壳温度（Tc）条件下可达14A，最大功率耗散为83W（Tc），工作结温范围宽至-50°C ~ 150°C，确保了在高压开关电源、DC-DC转换及电机驱动等应用中的稳定性和可靠性。
基本参数：
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