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AO3438_001是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，专为低压、高效率的功率开关应用而优化。

其核心优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。器件提供20V的漏源电压和3A的连续电流能力，在4.5V栅极驱动下，导通电阻典型值低至62毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其具备低至1.8V的驱动电压和仅3.8nC的栅极电荷，确保了与低压逻辑电路的兼容性并支持快速的开关切换。

这些特性使其成为空间受限的便携式设备、DC-DC转换器及电机驱动电路中功率路径管理的理想选择。

• 制造商产品型号：AO3438_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 20V 3A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：62 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：320pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• AO3438_001，AOS产品一站式供应商。