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AOI423是AOS推出的一款30V P沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。该器件在电气性能上实现了显著平衡，其核心优势在于极低的导通电阻（6.7毫欧 @ 20A, 20V）与高电流处理能力（连续漏极电流达70A @ Tc）的结合，这直接降低了功率损耗并提升了系统效率。

器件设计兼顾了驱动便利性与开关速度，栅极阈值电压典型值适配标准逻辑电平，同时优化的栅极电荷（65nC @ 10V）有助于实现快速开关，减少开关损耗。其坚固的封装支持高达90W（Tc）的功率耗散，且工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的可靠性与长寿命。这些特性使其成为低压、大电流开关应用，如DC-DC转换、电机驱动和负载管理的理想选择。

• 型号:AOI423
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.7 毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI423，AOS产品一站式供应商。