AON7820（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AON7820是AOS推出的一款采用8-PowerVDFN封装的表面贴装型双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个具有共漏极连接的N沟道MOSFET，其栅极设计为逻辑电平驱动，最大栅极阈值电压(Vgs(th))低至1V，可直接由标准微控制器端口控制，显著简化了驱动电路设计。

其关键电气参数包括20V的漏源电压(Vdss)额定值，以及最大22nC (@ 4.5V)的栅极电荷(Qg)，这有助于实现快速的开关速度和较低的高频开关损耗。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，适用于要求高可靠性的各种环境。这些特性使其成为低压同步整流、电机驱动和负载开关等紧凑型功率管理应用的理想选择。

制造商产品型号：AON7820

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET 2N-CH 20V 8DFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A