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AOB10T60PL 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气规格包括 600V 的漏源电压（Vdss）和 10A 的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键性能优势在于其优化的动态与静态参数。在 10V 栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至 700 毫欧（@5A），有效降低了导通损耗。同时，最大 40nC 的栅极电荷（Qg @10V）有助于实现快速的开关切换并减轻驱动负担。这些特性使其在追求效率与功率密度的设计中表现出色。

其工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，并结合 TO-263 封装良好的热性能，确保了在各类环境下的稳定运行。该器件主要面向开关电源、PFC 及电机驱动等需要高压高效功率开关的领域。

• 制造商产品型号：AOB10T60PL
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1595pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• AOB10T60PL，AOS产品一站式供应商。