AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONS66402是AOS公司基于AlphaSGT技术制造的一款40V N沟道功率MOSFET。该器件旨在提供高电流处理能力与极低的功率损耗，其连续漏极电流在管壳温度下可达85A，导通电阻低至1.6毫欧（@10V，20A），显著降低了传导过程中的能量损失。
其设计优化了开关特性，最大栅极电荷仅为105nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与高达119W的功率耗散能力，确保了其在 demanding 应用环境下的稳定性和可靠性。这款表面贴装器件是提升中压、大电流电源转换系统效率的核心组件。
基本参数：
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