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零件图片（仅供参考）
AOC2415
规格参数

AOC2415是AOS推出的一款采用4-AlphaDFN封装的P沟道功率MOSFET。该器件额定电压为20V Vdss，在25°C下可连续通过3.5A电流，其核心优势在于优异的低导通电阻特性，在4.5V Vgs驱动下，Rds(on)最大值仅为33毫欧@1.5A，能有效降低导通损耗。

同时，器件具备低栅极电荷（28nC @ 4.5V）和低栅极阈值电压（最大1V），兼容低电压逻辑驱动，有利于实现高效率的快速开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和紧凑的封装形式，使其特别适合用于空间受限的便携式设备、电池管理系统及DC-DC转换器等应用中的功率切换与路径控制。

  • 制造商产品型号：AOC2415
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 4ALPHADFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：33 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1685pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：550mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：4-AlphaDFN（1.57x1.57）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOC2415
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 3.5A 4ALPHADFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOC2415的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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